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[交流] Photodiode边缘效应仿真相关的疑问

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  • TA的每日心情

    2024-3-15 09:09
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    [LV.9]以坛为家II

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    发表于 2022-8-19 11:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
    Photodiode是一种非常常见的光电器件。在绝大多数的使用情况下,无需考虑器件本身的“边缘效应”
    当器件本身结构较小,且有尖端形状时,这种效应会比较显著。

    如图为一排4个Photodiode,每个横向尺寸20um,最小处10um,都为V型。
    在这些PD的边缘转折处,或者说有转角的地方,会有产生一些信号震荡,导致探测时瞬态特性较差。
    想请教下论坛里的前辈们是否有了解过,或仿真过这种特性?有没有具体的理论可以解释?

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